خبرگزاری فارس: طراحی حافظه‌های جدید فلاش ۲۵۶گیگابیتی از نوع NAND توسط سامسونگ آغاز شده است. این حافظه‌ها دارای ۴۸ لایه سه بیتی در سطوح مختلف هستند.

با افزایش چگالی این حافظه‌ها می‌توان ظرفیت‌شان را در آینده بیشتر کرد. علاوه بر سامسونگ، توشیبا، سن دیسک، اینتل و میکرون هم در تلاش برای طراحی حافظه‌های جدید NAND هستند و همگی قصد دارند این حافظه‌ها را با قیمت‌های رقابتی عرضه کنند.

سامسونگ چندی قبل تراشه‌های دو ترابایتی را برای گوشی‌های هوشمند روانه بازار کرد و امیدوار است فناوری جدید ساخت این تراشه‌ها را با هزینه کمتر و ابعاد مناسب ممکن کند.

این تراشه‌ها از خانواده ۳D NAND و موسوم به ۳D V-NAND هستند و داده‌ها در آنها به طور عمودی و به جای ۳۲ لایه در ۴۸ لایه ذخیره می‌شوند. لایه‌های حافظه‌های مذکور از طریق ۸/ ۱ میلیارد حفره ارتباطی با یکدیگر در ارتباطند و در نهایت ۳/ ۸۵ میلیارد سلول وظیفه ذخیره‌سازی ۲۵۶ میلیارد بیت اطلاعات را بر عهده دارند. به بیان دیگر ۲۵۶ گیگابیت داده روی تراشه‌ای به اندازه سر انگشت ذخیره می‌شوند.