تولید انبوه تراشه‌های ۱۶ گیگابایتی NAND شرکت سامسونگ آغاز شد
مقامات شرکت سامسونگ الکترونیک از آغاز تولید انبوه تراشه‌های NAND، گ۱۶ گیگا بایتی که تحت فناوری ۵۱ نانومتری ساخته شدهاند خبر دادند. به گزارش «ایلنا»، مقامات شرکت سامسونگ معتقدند، پس از تولید انبوه تراشه‌های NAND ۸۰ گیگا بایتی مبتنی بر فناوری ۶۰ نانومتری در ماه آگوست سال ۲۰۰۶، اکنون تولید سری جدید تراشه‌های NAND، گ۱۶ گیگا بایتی نقطه عطف دیگری در تاریخ فعالیت تولید تراشه شرکت سامسونگ است.
تراشـههای ســری جدیــد NAND، گ ۶۰ درصد بیشتر از تراشه‌های پیشین شرکت سامسونگ که مبتنی بر فناوری ۶۰ نانومتری بودند کارآمدتر است و سرعت خواندن و نوشتن این تراشهها حدود ۸۰درصد بیشتر از سرعت پردازش اطلاعات MLC های کنونی است.
طبق گزارش شرکت سامسونگ، سرعت خواندن اطلاعات در تراشه‌های NAND، گ۶۰ نانومتری برابر با ۱۷ مگابایت در ثانیه است، اما این میزان در تراشه‌های فلش NAND، گ۵۱ نانومتری، ۳۰ مگابایت در ثانیه است.
همچنین، سرعت نوشتن اطلاعات در تراشه‌های جدید ۸ مگابایت در ثانیه ارزیابی شده که این رقم در تراشه‌های پیشین
۴/۴ مگابایت بوده است.
ارسال نظر