۳۰ میلیارد ترانزیستور روی یک تراشه بند انگشتی
ایسنا: آیبیام (IBM) موفق به ساخت تراشههایی با لیتوگرافی ۵ نانومتر شده و این در حالی است که کوچکترین و پیشرفتهترین تراشههای تجاری دنیا در حال حاضر با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری ساخته میشوند. آیبیام برای تولید این تراشه ۵ نانومتری به جای استفاده از مهندسی FinFET، از ساختار جدیدی با یک بسته شامل چهار صفحه نانو استفاده کرده است که تا ۳۰ میلیارد ترانزیستور در تراشهای به اندازه یک بند انگشت جای گیرد. این موفقیت دستاوردهای قابلتوجهی در قدرت و کارآیی در پی خواهد داشت. در سال ۱۹۷۰ طبق قانون مور اعلام شد که تعداد ترانزیستورهای یک تراشه هر دو سال یکبار میتواند دو برابر شود.
ایسنا: آیبیام (IBM) موفق به ساخت تراشههایی با لیتوگرافی ۵ نانومتر شده و این در حالی است که کوچکترین و پیشرفتهترین تراشههای تجاری دنیا در حال حاضر با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری ساخته میشوند. آیبیام برای تولید این تراشه ۵ نانومتری به جای استفاده از مهندسی FinFET، از ساختار جدیدی با یک بسته شامل چهار صفحه نانو استفاده کرده است که تا ۳۰ میلیارد ترانزیستور در تراشهای به اندازه یک بند انگشت جای گیرد. این موفقیت دستاوردهای قابلتوجهی در قدرت و کارآیی در پی خواهد داشت. در سال ۱۹۷۰ طبق قانون مور اعلام شد که تعداد ترانزیستورهای یک تراشه هر دو سال یکبار میتواند دو برابر شود.
این قانون در ابتدا جالب به نظر میآمد اما در ادامه بهدلیل کند بودن روند افزایش ترانزیستورها با مشکلاتی مواجه شد. در بازار تجهیزات تجاری هنوز هم تراشههای ۱۴ نانومتری استاندارد محسوب شده و از آنها استفاده بسیاری میشود اما استفاده شرکتهایی نظیر اینتل و سامسونگ از تراشههای ۱۰ نانومتری سبب شد تا بازار به تسخیر این تراشهها در بیاید. اما از آنجا که فناوری با سرعت زیادی در حال پیشرفت است، در سال ۲۰۱۵ آی بی ام از تراشه ۷ نانومتری خود که با همکاری سامسونگ و «گلوبال فاندریز» (GlobalFoundries) توسعه داده بود رونمایی کرد. آنها توانستند با کمک برخی ترفندها در زمینه تولید، ۲۰ میلیارد ترانزیستور را در یک تراشه به اندازه یک بند انگشت جای دهند.
آنها انتظار دارند که بتوانند این تراشههای ۷ نانومتری را در سال ۲۰۱۹ تجاریسازی کنند. حال همان کمپانی با برداشتن گامی بلند در عرصه فناوری، موفق به تولید تراشههای ۵ نانومتری شده است. این تیم برای کاهش اندازه این تراشهها به ۵ نانومتر از روشهای نوین مهندسی بهره بردند. آنها در مهندسی تراشه ۵ نانومتری خود از صفحههای نانو سیلیکونی استفاده کردند که میتوانند سیگنالها را از درون ۴ گیت بهصورت همزمان ارسال کنند که در تراشههایی که با روش مهندسی FinFET ساخته شده بودند این گیتها ۳ عدد بودند. این تراشههای جدید در مقایسه با تراشههای ۱۰ نانومتری دارای قابلیت افزایش بازدهی تا ۴۰ درصد با انرژی مشابه بوده و میتوانند مصرف انرژی را تا ۷۵ درصد کاهش دهند.
ارسال نظر