توشیبا تراشه حافظه سهبعدی میسازد
توشیبا با آغاز ساخت یک کارخانه جدید در ژاپن در اواخر سالجاری نخستین گام را بهسوی تولید انبوه نسل جدید تراشهها برمیدارد. به گزارش خبرگزاری دانشجویان، این کارخانه پنجمین پایگاه ساخت توشیبا در یوکیاشی در غرب ژاپن خواهد بود و ابتدا برای تولید تراشههای فلش ناند مورد استفاده قرار میگیرد، اما این شرکت قصد دارد فعالیت آن را به ساخت نوع جدیدی از حافظههای سهبعدی که در آنها تراشهها و قطعات بهصورت عمودی چیده شدهاند، توسعه دهد.
فلش ناند فراوانترین نوع حافظه مورد استفاده در حال حاضر است که در داخل حافظههای USB و کارتهای حافظه یافت میشود و همچنین در دستگاههایی مانند دوربینهای دیجیتالی، تلفنهای همراه و درایوهای سخت جامد بهکار برده میشود.
سازندگان نیمهرسانا بهطور دائم در تلاش برای بهبود ظرفیت تراشههایشان از طریق فشردهسازی قطعات هستند، اما مهندسان از اینکه روش مذکور ممکن است با محدودیت مواجه شود، نگرانند، زیرا همچنانکه سلولهای حافظه کوچکتر میشوند تداخل الکتریکی بین آنها دردسرسازی را شروع کرده است.
این مشکل توجه را به سمت حافظه سهبعدی جلب کرده؛ زیرا مهندسان با ساختن عمودی علاوه بر افقی میتوانند همچنان به افزایش ظرفیت تراشه بدون کوچکتر کردن سلولهای حافظه ادامه دهند.
به گفته رییس و مدیر اجرایی توشیبا، این شرکت ساخت کارخانه جدید را در ماه ژوئیه امسال آغاز میکند و انتظار میرود نخستین مرحله تولید فلش ناند در بهار سال آینده آغاز شده و اندکی پس از آن خط تولید تراشههای سهبعدی در این کارخانه راهاندازی میشود.
توشیبا و سان دیسک در سال ۲۰۰۸ کار روی ساخت تراشههای حافظه سهبعدی را آغاز کردند و آغاز ساخت این کارخانه گام مهمی به سوی تولید آینده این تراشهها خواهد بود.
ارسال نظر