مهندسان دانشگاه‌های «ام‌آی‌تی» (MIT) و «کلرادو» (University of Colorado)، یک ترانزیستور سه‌بعدی ابداع کرده‌اند که از کوچک‌ترین مدل‌های تجاری آن نیز کوچک‌تر است. آنها برای این کار، از یک روش میکروساخت استفاده کردند که اتم به اتم مواد نیم‌رسانا را تغییر می‌دهد. اندازه این ترانزیستور جدید که به شکل عمودی قرار می‌گیرد، هفت نانومتر و ده‌ها هزار برابر باریک‌تر از موی انسان است. در نتیجه می‌توان ده‌ها میلیارد ترانزیستور را روی یک تراشه به اندازه یک ناخن قرار داد. پژوهشگران، روشی موسوم به «چاپ حرارتی در سطح اتم» (thermal ALE) را اصلاح کردند تا امکان تغییر مواد نیمه‌رسانا در سطح اتم فراهم شود. ترانزیستورهایی که با استفاده از این روش ابداع شدند، بسیار کارآمدتر از مدل‌های تجاری خود هستند.

در حال حاضر، روش‌های دیگری نیز برای چاپ حرارتی در سطح اتم وجود دارد اما این روش جدید، بسیار دقیق‌تر است و ترانزیستورهای باکیفیت‌تری را ارائه می‌دهد. به علاوه، این روش، نوعی ابزار میکروساخت ارائه می‌دهد که برای قرار دادن لایه اتمی روی مواد به کار می‌رود؛ در نتیجه می‌توان آن را به سرعت ترکیب کرد. شاید این ابزار بتواند به تراشه‌های رایانه‌ای کمک کند عملکرد بهتری داشته باشند. «ونجی لو» (Wenjie Lu)، نویسنده ارشد این پروژه گفت: ما باور داریم این ابداع، تاثیر بسیاری خواهد داشت. ما باید برای مهندسی ترانزیستورهای کوچک‌تر، بتوانیم مواد را در سطح اتم تغییر دهیم.نتایج این پژوهش، در نشست بین‌المللی «IEEE» ارائه شد.